احتمال رونمایی از حافظه MRAM جدید از سامسونگ

کمپانی سامسونگ حدود یک سال پیش اعلام کرده بود که توانسته حافظه جدیدی توسعه دهد که بیش از ۱۰۰٫۰۰۰ بار از حافظه‌های NAND flash سریع‌تر است و به هیچ عنوان فرسوده نمی‌شود.

این حافظه جدید، که MRAM نامیده می‌شود، با استفاده از تکنولوژی STT (گشتاور چرخشی) ساخته شده است که به سامسونگ اجازه می‌دهد حافظه‌های کم‌ظرفیت را برای دستگاه‌هایی مانند گوشی‌های موبایل، ابزارهای پوشیدنی و اینترنت اشیا، که در حال حاضر از حافظه‌های NAND flash استفاده می‌کنند، تولید کند. دپارتمان LSI کمپانی سامسونگ نیز پیش از این گزارش داده بود که کار روی سیستمی را آغاز کرده که در آن از حافظه‌های MRAM استفاده شده است.

حافظه‌های MRAM مبتنی بر فناوری گشتاور چرخشی، در مقایسه با سایر حافظه‌ها، مصرف انرژی بسیار بهینه‌تری دارند و در مواقع عدم فعالیت هیچ‌گونه انرژی مصرف نمی‌کنند. براساس آخرین خبرها، کمپانی سامسونگ احتمالا در روز ۲۴ ماه مه از این حافظه‌های جدید رونمایی می‌کند.